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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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°三路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:15dB
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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功分器

7.7-8.6GHz十六路0°功分器,SMA-K
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隔离器

12-18GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
YG600A-5
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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功分器

8-12.4GHz八路0°功分器,SMA-K
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功分器

8600-9600MHz两路0°功分器,SMA-K
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隔离器

8600-9600MHz隔离器,SMA-K,5W
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功分器

8-18GHz四路0°功分器,SMA-K