-
-
-
-
-
-
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
...

隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
...

隔离器

1.6-2.9GHz隔离器,SMA-K,损耗0.8,隔离15,功率10W
...

反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
...

开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:21dB,
HG124K2