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...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
NC16103C-3040
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
NC1647C-2227PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1616C-2540
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
NC1607C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1611C-2030
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
NC1609C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
NC1683C-9096
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,
HG128KB
...

开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:38dB,1.49*1.10mm×mm
SIS029

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