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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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一分二功分器芯片

频率:16-28GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:25dB
HG127G
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:25dB
HGC157L
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:20dB
HGC158L
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一分二功分器芯片

频率:20-36GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG128GA
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:22dB
IPD-1840
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一分三功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:26dB
IPD-18403