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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-40GHz,损耗:1.2dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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一分三功分器芯片

频率:30-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:25dB
HG128GB
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:25dB
HGC157L
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:20dB
HGC158L
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反射式 SPST

频率:0-40GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB,
HGC123
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:2dB,隔离度:35dB,
HGC124
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开关芯片

频率:0-40GHz,插入损耗:2.4dB,隔离度:35dB,
HG128KB
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一分二功分器芯片

频率:18-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:22dB
IPD-1840
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一分二功分器芯片

频率:30-40GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:24dB
IPD-3040