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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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°三路功分器芯片

频率:2-3GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:19dB
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功分器

2-8GHz两路0°功分器,SMA-K
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一分二功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:20dB
HG126GB
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一分四功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:20dB
HG146G1
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一分二功分器芯片

频率:7-13GHz,插入损耗:0.55dB,隔离度:25dB
HG125GB-1
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功分器

7.7-8.6GHz十六路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz三路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-2.5GHz五路0°功分器,SMA-K
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功分器

2-6GHz两路0°功分器,SMA-K
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功分器

6-18GHz四路0°功分器,SMA-K
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隔离器

4.5-5.3GHz微带针隔离器,功率10W,损耗0.4,隔离20dB
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隔离器

1.9-2.4GHz同轴隔离器,SMA-K,功率10W,损耗0.5,隔离度20
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隔离器

7.7-8.5GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5
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隔离器

7-7.7GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗0.5