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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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功分器

400-2700MHz八路0°功分器,SMA-K
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开关

1000-6000MHz单刀双掷开关,SMA-K
TSS537
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
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反射式 SPDT

频率:0-8GHz,插入损耗:0.65dB,隔离度:35dB,
HGC114-8
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一分三功分器芯片

频率:4-7GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:25dB
HG134GA
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A