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...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
NC1641C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
NC1634C-104
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:1-12GHz,损耗:0.8dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC16104C-112
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
NC1648C-910
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
NC1610C-1830
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
NC1674C-2838
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
NC16605C-812
...

开关芯片

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:30dB,
HG123KB
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功分器

300-400MHz两路0°功分器，SMA-K
ZPD5-2M300-400-260
...

开关

1000-6000MHz单刀双掷开关，SMA-K
TSS537
...

全正电，反射式 SPDT

频率:0.1-50GHz,插入损耗:3dB,隔离度:30dB,
HGC121
...

一分三功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:0.3dB,隔离度:29dB
IPD-08123
...

一分三功分器芯片

频率:12-18GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:27dB
IPD-12183
...

电桥

频率:6-18GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:30dB,芯片尺寸：1.75*0.85*0.1
AMCP2X01S
...

电桥

频率:7-13GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:27dB,芯片尺寸：1.8*1.0*0.1
AMCP2X02S

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