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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2