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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2dB,隔离度:35dB,开关时间:10ns
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GaAsPIN开关

频率:0.05-50GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:35dB,
ISW1H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:39dB,
ISW1A