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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
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隔离器

960-1230MHz双结隔离器,隔离38,损耗1,微带针接口
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反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:35dB,
HG127K2A