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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:2-18GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.4dB,隔离度:40dB,
ISW1B2
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW2
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210F
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GaAsPIN开关

频率:2-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:48dB,
ISW210G
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:47dB,
ISW3