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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs FET开关

频率:0-40GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:52dB,
ISW-0040ST
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开关

22-40GHz射频开关,单刀双掷,损耗3dB,隔离60dB,2.92-K
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开关

22-40GHz单刀六掷开关,损耗6dB,隔离60dB,2.92-K
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3.5dB,隔离度:40dB,
HGC125
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反射式 SPDT

频率:0-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:45dB,
HGC126
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全正电,反射式 SPDT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:45dB,
HGC128
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全正电,匹配式 SPT

频率:0.1-40GHz,插入损耗:3dB,隔离度:40dB,
HGC122
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GaAs FET开关

频率:0-45GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
ISW-0045DT