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GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:24-32GHz,损耗:0.7dB,隔离度:43dB,开关时间:20ns
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212
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射频开关

DC-12000MHz双刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
L2N22412
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开关芯片

频率:2-20GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:45dB,
HG123KA-3
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压12V,开关时间15ms
1N21212T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,TTL控制,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812T
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压24V,开关时间15ms
1N22412
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射频开关

DC-12000MHz单刀双掷机电开关,工作电压28V,开关时间15ms
1N22812
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.6dB,隔离度:45dB,
ISW2H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW2
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GaAsPIN开关

频率:0.05-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:44dB,
ISW3H
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GaAsPIN开关

频率:0.1-40GHz,插入损耗:0.7dB,隔离度:47dB,
ISW3