电子宝商城

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns

#REF!

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,

1000-4000MHz单刀五掷开关，SMA-K，隔离55dB，功率容量0.2W

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,

型号:HGC115

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1

频率:0-15GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:40dB,3*3mm×mm

品牌	中电科十三所 (2) 华光瑞芯 (3) 康迈微 (1) 中科海高 (2) 国芯微电子 (1) 仕芯半导体 (1)
最小使用频率(MHz)	4000 (1) 6000 (1)	-
最大使用频率(MHz)	1000~10000 (2) 15000~18000 (3) 20000~30000 (6)	-
接口形式	SMA (1)
类别	单刀双掷 (3) 单刀三掷 (2) 单刀四掷 (3) 反射式 (1) 单刀八掷 (1) 单刀单掷 (1)
插入损耗(dB)	2.4 (2) 2.5 (9)	-
隔离度(dB)	40 (4) 55 (4) 50 (2) 42 (1)	-
功率容量(W)	2 (4) 0.2 (1)	-
开关时间(ns)	10 (2) 8 (1) 100 (1) 15 (1) 50 (1)	-
开关结构	电子开关 (2)
分配路数(路)	5 (1)	-