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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
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单刀单掷开关

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸:1.9*1.0*0.1
AMSW0001S
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开关芯片

频率:0-15GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:40dB,3*3mm×mm
SIS032SP3
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开关芯片

频率:0-18GHz,插入损耗:3.2dB,隔离度:55dB,2.45*2.22mm×mm
SIS037