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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns

频率:0-20GHz,插入损耗:2.6dB,隔离度:42dB,

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,

型号:ISW4B2

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1

频率:0.1-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:42dB,1.60*1.00mm×mm

型号:SIS041

品牌	中电科十三所 (1) 中科海高 (1) 芯谷微电子 (1) 国芯微电子 (1) 仕芯半导体 (1)
最小使用频率(MHz)	19000 (1) 10000 (1) 6000 (1) 100 (1)	-
最大使用频率(MHz)	32000 (1) 20000 (1) 40000 (1) 18000 (1) 6000 (1)	-
类别	单刀单掷 (3) 单刀四掷 (2)
插入损耗(dB)	1.2 (2) 2.6 (1) 2.5 (1) 1.4 (1)	-
隔离度(dB)	42 (5)	-
功率容量(W)	2 (3)	-
开关结构	电子开关 (1)
开关时间(ns)	10 (2) 30 (2) 200 (1)	-