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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
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°电桥

频率:8-12GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:46dB
IC0812
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GaAs FET开关

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,
ISW-00106T
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开关芯片

频率:0-15GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:45dB,1.49*1.223mm×mm
SIS032