-
-
-
-
-
-
-
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀三掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:50@6GHzdB,开关时间:8ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50@3GHzdB,开关时间:5ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-12GHz,损耗:1.5dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

反射式 SPDT

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:45dB,
HGC114-12
...

匹配式 SPT

频率:0-10GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:50dB,
HGC118-PD
...

°电桥

频率:8-12GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:46dB
IC0812
...

GaAs FET开关

频率:0-8GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:47dB,
ISW-0008DT
...

GaAs FET开关

频率:0-12GHz,插入损耗:1dB,隔离度:51dB,
ISW-0012DT
...

GaAs FET开关

频率:0-10GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:46dB,
ISW-00106T