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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.3dB,隔离度:50dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:50dB,开关时间:20ns
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开关芯片

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:50dB,
HG123KF-1
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匹配式 SPDT

频率:0-5GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC114-5D
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单刀双掷

频率:0.1-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:50dB,
HGC1005LP4
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单刀三掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1007LP4
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单刀五掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
HGC1011LP4
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单刀六掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:50dB,
HGC1013LP4
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GaAs FET开关

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:50dB,
ISW-0006DT