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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
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GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG145KC-1
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开关

1000-4000MHz单刀五掷开关,SMA-K,隔离55dB,功率容量0.2W
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开关芯片

频率:0-20GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:55dB,
HG146KB
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GaAs FET开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:55dB,
ISW-00203T
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单刀单掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸:1.5*1.0*0.1
AMSW0004S