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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.2dB,隔离度:55dB,开关时间:10ns
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全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
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单刀双掷

频率:0.1-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC117LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.1dB,隔离度:60dB,
HGC1003LP4
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单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1dB,隔离度:60dB,
HGC1006LP4
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开关芯片

频率:0-8GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HG137KA
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GaAs FET开关

频率:0-19GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:61dB,
ISW-0019DT