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功率放大器芯片

频率:0.96-1.26GHz,增益:26dBm,输出功率:47dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:1-1.2GHz,损耗:4.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:4.8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.2-1.4GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.5-1.8GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:1.6-2GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.4-1.2GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:10dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:9dB