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-
筛选项:
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
NC1646C-120
...

无引线封装微波开关

频率:0-13GHz
NC3612Q-113
...

微波开关模块

频率:0-18GHz
NC3607M-018
...

数控衰减器芯片

频率:15-17GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:32,最大衰减:32
NC1361C-1517
...

数控衰减器芯片

频率:0-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
NC1325C-118A
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:2.8dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
NC1325C-118PD
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:5,最大衰减:35
NC1341C-118
...

数控衰减器芯片

频率:0.5-18GHz,损耗:3.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1307C-618A
...

数控衰减器芯片

频率:12-18GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
NC1392C-1218
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:2.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1626C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.4dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1627C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀三掷,频率:0-18GHz,损耗:3.5dB,隔离度:40dB,开关时间:8ns
NC1639C-118PD
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
NC1624C-120
...

GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀四掷,频率:0-20GHz,损耗:2.3dB,隔离度:20dB,开关时间:10ns
NC1625C-120
...

无引线封装数控衰减器

频率:0-15.5GHz，最大增益3.7dBm
NC3309Q-110PD

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