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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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耦合器

500-2700MHz耦合器,耦合度40dB,N-K,功率容量100W
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耦合器

225-2500MHz,35dB耦合器,100W,国产化替代IPP-8042