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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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隔离器

2200-2400MHz隔离器,通过功率60W,耐反射功率20W,微带针接口
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隔离器

2200-2400MHz隔离器,微带针,20W
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隔离器

2100-2200MHz隔离器,100W,N-K