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数控衰减器芯片

频率:1-2GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:0.7-1.7GHz,LO/RF隔离度:41dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:0.5-2GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:1.9-2.2GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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多功能上变频芯片

单片混频多功能电路,频率:0-1.8GHz,LO/RF隔离度:18dB,变频损耗:dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:1-2GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:2.1-2.4GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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°电桥芯片

频率:1.4-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.3dB,隔离度:10dB
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°电桥芯片

频率:2.2-2.4GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:dB