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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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开关

1980-2010MHz单刀三掷大功率开关,功率容量80W
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耦合器

1500-2000MHz耦合器,20dB,微带半圆孔,30W
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限幅器芯片

频率:1-2GHz,插入损耗:0.3dB,接口:键合金丝
HGC181-10