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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:-,最大衰减:32
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电调衰减器芯片

频率:7-13GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:9-10GHz,损耗:0.8dB,隔离度:30dB,开关时间:8ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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均衡器芯片

频率:8-12GHz,损耗:1.1dB,均衡量:3dB
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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双工器

双工器频率7238-7246&8144-8164MHz
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耦合器

9-10GHz耦合器,耦合度10dB,SMA-K
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耦合器

8600-9600MHz耦合器,10dB,SMA-K
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耦合器

7500-16000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

8000-18000MHz耦合器,耦合度10dB,微带焊盘
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耦合器

8-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,损耗1.2dB,SMA-K
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单片均衡器

频率:8-12GHz,插入损耗:1.1dB,接口:键合金丝,均衡量:4dB,
HGC135-4
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数控衰减器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗:1dB,
HGC230PD
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:0.9dB,隔离度:37dB,
ISW2B2
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GaAsPIN开关

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,
ISW4B2