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低噪声放大器芯片

频率:1-9GHz,增益:21dBm,输出功率:14dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
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MEMS带通滤波器

频率:5-9GHz,中心频率插损:0.9dB
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MEMS带通滤波器

频率:5-9.5GHz,中心频率插损:0.8dB
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MEMS带通滤波器

频率:6-8.5GHz,中心频率插损:1.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:6.15-8.35GHz,中心频率插损:1.3dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.9-10GHz,中心频率插损:1.2dB
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低噪声放大器芯片

频率:6-9GHz,增益:26dBm,输出功率:10.5dBm,噪声:1.1,射频端口:键合金丝
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数控衰减器芯片

频率:0.5-8.5GHz,损耗:2.5dB,射频端口:键合金丝,步进:3,最大衰减:21
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4-10GHz,LO/RF隔离度:21dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-10.5GHz,LO/RF隔离度:35dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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表面贴装/安装低噪声放大器

频率:6-9GHz,最大增益25dBm
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低噪声放大器模块

频率:4-8.5GHz,最大增益35dBm