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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0.5-12GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.5dB,隔离度:60dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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功分器

300-400MHz两路0°功分器,SMA-K
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开关芯片

频率:0.5-5GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:70dB,
HG128K2