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最小使用频率
(MHz)
18000
(44)
19000
(5)
20000
(4)
-
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最大使用频率
(MHz)
25000~26000
(17)
26500~27000
(17)
28000~30000
(11)
32000~32000
(8)
-
筛选
特性
高通
(2)
带通
(1)
中心频率
(MHz)
23000
(1)
-
筛选
中心频率插损
(dB)
1.5
(1)
-
筛选
边频最大损耗
(dB)
2.5
(2)
1.5
(1)
-
筛选
接口形式
3.5
(1)
2.92
(8)
波导口
(4)
SMA
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微带针
(1)
滤波器类别
微带线
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腔体波导
(1)
类别
单刀双掷
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功率放大
(1)
类别二
微波单片放大类
(15)
无源
(3)
有源
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微波单片控制类
(1)
极化方式
线极化
(13)
最大增益
(dB)
13~15
(3)
19.5~22
(5)
24~26
(5)
27~40
(3)
-
筛选
输出功率
(dBm)
-2~1
(5)
6~10
(4)
10.5~13
(5)
14~29
(2)
-
筛选
插入损耗
(dB)
0.9~1
(2)
1.2~1.3
(3)
2~2.2
(2)
2.5~3
(3)
-
筛选
隔离度
(dB)
16~18
(2)
19~20
(2)
24~25
(3)
32~40
(3)
42~42
(1)
-
筛选
相位
0º
(1)
噪声系数
(dB)
1.7~1.8
(6)
2~2.2
(4)
2.3~2.4
(3)
2.5~3
(2)
-
筛选
抑制度
(dB)
45
(1)
40
(1)
65
(1)
-
筛选
功率容量
(W)
2
(11)
10
(2)
1
(1)
15
(2)
-
筛选
步进
(d)
10
(1)
0.5
(1)
分配路数
(路)
2
(3)
4
(1)
-
筛选
插入损耗(不含分配损耗)
(dB)
0.7
(1)
1.2
(1)
0.4
(1)
0.5
(1)
1.4
(1)
-
筛选
限幅电平
(dBm)
18
(1)
-
筛选
开关结构
电子开关
(5)
LO/RF隔离度
(dB)
22
(1)
30
(1)
27
(2)
35
(1)
33
(1)
-
筛选
天线增益(Typ.)
(dBi)
25
(4)
10
(3)
15
(3)
20
(3)
-
筛选
变频损耗
(dB)
10
(2)
8.5
(2)
9
(1)
8
(1)
-
筛选
工作电压
(V)
5
(11)
3
(1)
3.3
(2)
7
(1)
-
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工作电流
(mA)
7~10
(5)
30~35
(3)
37~52
(3)
55~600
(4)
-
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开关时间
(ns)
20
(2)
10
(3)
-
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最大衰减
(dB)
20
(1)
15.5
(1)
40
(1)
-
筛选
筛选项:
18000~20000
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GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1677C-1830R
低噪声放大器芯片
频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10166C-1825
低噪声放大器芯片
频率:18-25GHz,增益:25dBm,输出功率:-1dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10166C-1825M
低噪声放大器芯片
频率:18-26GHz,增益:22dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.3,射频端口:键合金丝
型号:
NC10219C-1826
低噪声放大器芯片
频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10176C-1826
低噪声放大器芯片
频率:18-27GHz,增益:22dBm,输出功率:-2dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10176C-1826M
低噪声放大器芯片
频率:19-25GHz,增益:26dBm,输出功率:12dBm,噪声:1.8,射频端口:键合金丝
型号:
NC10172C-1925
低噪声放大器芯片
频率:19-26GHz,增益:29dBm,输出功率:12dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
型号:
NC10186C-1926
数控衰减器芯片
频率:18-26GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:10,最大衰减:20
型号:
NC13112C-1826
数控衰减器芯片
频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:15.5
型号:
NC1374C-1830
电调衰减器芯片
频率:18-30GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
型号:
NC1390C-1830
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns
型号:
NC16110C-1932
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:2dB,隔离度:32dB,开关时间:10ns
型号:
NC1610C-1830
GaAs FET 开关芯片（负压控制)
单刀三掷,频率:20-30GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
型号:
NC1611C-2030
GaAs PIN 开关芯片
单刀双掷,频率:18-30GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
型号:
NC1677C-1830
无源双平衡混频器芯片
单片混频器,频率:18-32GHz,LO/RF隔离度:22dB,变频损耗:10dB
型号:
NC17102C-1832
1
2
3
4
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