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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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功率放大器芯片

频率:25-26GHz,增益:21dBm,输出功率:22dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-26.5GHz,增益:23dBm,输出功率:15dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:25-27GHz,增益:18dBm,输出功率:25dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:25-27GHz,损耗:8dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:7.5
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数控衰减器芯片

频率:25-40GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:7.75
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电调衰减器芯片

频率:25-50GHz,损耗:4.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:40
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:25-27GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:2.5dB,隔离度:25dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:25-40GHz,损耗:1.3dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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QPSK调制器芯片

QPSK调制器,频率:25-27GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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滤波器

25000-31500MHz带通滤波器,32800-39300MHz≥30&7300-8300MHz≥60dB
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功率放大器芯片

频率:25-28GHz,最大增益:18dB,输出功率:30dBm,6V,0.38mA
HG138FA