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MEMS带通滤波器

频率:5.15-5.25GHz,中心频率插损:4.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.1-5.35GHz,中心频率插损:1.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:4.95-5.5GHz,中心频率插损:2.2dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.25-5.35GHz,中心频率插损:4.3dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.2-5.4GHz,中心频率插损:3.4dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.25-5.5GHz,中心频率插损:3.9dB
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FBAR封装滤波器

频率:5.18-5.23GHz,中心频率插损:4.5dB
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MEMS带通滤波器

频率:5.35-5.5GHz,中心频率插损:2.5dB
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数控移相器芯片

频率:4.5-5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4-5.5GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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内匹配功率管

频率:4.4GHz-5GHz,增益11dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:4.5GHz-4.8GHz,增益10dBm,输出功率:53dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:4.5-4.9GHz,最大增益10dBm
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GaN 表面贴装/安装功率放大器

频率:4.5-4.9GHz,最大增益17dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:4.8GHz-5.4GHz,增益10dBm,输出功率:40dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:4.8GHz-5.4GHz,增益11dBm,输出功率:33dBm,射频端口:贴装焊接