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°两路功分器芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:17dB
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,耦合度:20dB,射频端口:键合金丝
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向耦合器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.7dB,耦合度:15dB,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:4-14GHz,损耗:0.3dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:14dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:14dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:6-18GHz,损耗:0.6dB,射频端口:键合金丝,1位移相器
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:4-9GHz,损耗:1.5dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:35
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电调衰减器芯片

频率:6-8GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:36
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4-9GHz,损耗:0.5dB,隔离度:70dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:4-8GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:16dB