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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
NC16602C-618
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开关芯片

频率:5-20GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:45dB,
HG127K2

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