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MEMS带通滤波器

频率:34.5-37.5GHz,中心频率插损:0.5dB
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低噪声放大器芯片

频率:40-46GHz,增益:17dBm,输出功率:0dBm,噪声:2.5,射频端口:键合金丝
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低噪声放大器芯片

频率:57-65GHz,增益:23dBm,输出功率:3dBm,噪声:4,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:90-96GHz,增益:9dBm,输出功率:20.5dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:90-96GHz,增益:9dBm,输出功率:27dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:45-65GHz,损耗:0.6dB,隔离度:25dB,开关时间:50ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:83-100GHz,LO/RF隔离度:-dB,变频损耗:9dB