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功率放大器芯片

频率:5-20GHz,增益:22dBm,输出功率:20dBm,射频端口:键合金丝
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功率放大器芯片

频率:5-6GHz,增益:22dBm,输出功率:46dBm,射频端口:键合金丝
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6.3dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:5.3dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:5-6GHz,损耗:6dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:5-6GHz,LO/RF隔离度:14dB,变频损耗:dB
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滤波器芯片

高通频率:5-20GHz,损耗:2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:5GHz-6GHz,增益9dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益12dBm,输出功率:52dBm,射频端口:贴装焊接
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内匹配功率管

频率:5.3GHz-5.9GHz,增益11dBm,输出功率:54dBm,射频端口:贴装焊接
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GaN 功率放大器载体

频率:5-6GHz,最大增益19.5dBm
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GaAs 内匹配功率管

频率:4.8GHz-5.4GHz,增益10dBm,输出功率:40dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:4.8GHz-5.4GHz,增益11dBm,输出功率:33dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:4.8GHz-5.4GHz,增益9dBm,输出功率:46.5dBm,射频端口:贴装焊接