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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:RF:9-12GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:12-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:15-23GHz,LO/RF隔离度:5dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:20-36GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:26-38GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:32-46GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:11dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:18-25GHz,LO/RF隔离度:27dB,变频损耗:8.5dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:5-6GHz,LO/RF隔离度:14dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-10GHz,LO/RF隔离度:55dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:17dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:47dB,变频损耗:dB