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GaAs FET 开关芯片（负压控制)

单刀单掷,频率:19-32GHz,损耗:1.2dB,隔离度:42dB,开关时间:10ns

频率:20-40GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:53dB,

频率:10-40GHz,插入损耗:1.2dB,隔离度:42dB,

型号:ISW4B2

频率:10-40GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:46dB,

型号:ISW5B2

频率:10-40GHz,插入损耗:1.3dB,隔离度:53dB,

型号:ISW6B2

频率:6-18GHz,插入损耗:2.5dB,隔离度:42dB,芯片尺寸：1.9*1.0*0.1