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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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数控衰减器芯片

频率:6-18GHz,损耗:5.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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电调衰减器芯片

频率:6-8GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:36
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-12GHz,LO/RF隔离度:24dB,变频损耗:9dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-15.5GHz,LO/RF隔离度:32dB,变频损耗:10.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-18GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9.5dB
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无源双平衡混频器芯片

单片混频器,频率:6-20GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:9dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.8dB,隔离度:-dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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滤波器芯片

高通频率:6-20GHz,损耗:2.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益8.5dBm,输出功率:50dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 功率场效应晶体管

频率:6GHz-6GHz,增益8.5dBm,输出功率:28.5dBm,射频端口:贴装焊接
NC41121S-6
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.5GHz-6GHz,增益10dBm,输出功率:45dBm,射频端口:贴装焊接
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GaAs 内匹配功率管

频率:5.9GHz-6.7GHz,增益10dBm,输出功率:39dBm,射频端口:贴装焊接