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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
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°电桥芯片

频率:12-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.2dB,隔离度:35dB