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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:15-40GHz,损耗:1dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:20-40GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:20-40GHz,损耗:0.9dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:28-38GHz,损耗:1dB,隔离度:30dB,开关时间:20ns
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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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限幅器芯片

频率:12-18GHz,损耗:0.9,限幅电平:15dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:18-26GHz,损耗:0.9,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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限幅器芯片

频率:29-32GHz,损耗:1,限幅电平:18dB,|射频端口连接:键合金丝
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隔离器

20-30GHz隔离器,2.92-K,隔离16,损耗1
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隔离器

8-15GHz隔离器,SMA-K,隔离20,损耗1
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耦合器

12-18GHz双定向耦合器,耦合度20dB,SMA-K,功率容量10W
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双工器

双工器频率10.95-12.75&10.95-12.75GHz,SMA-K
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耦合器

8600-9600MHz耦合器,10dB,SMA-K
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耦合器

7500-16000MHz耦合器,20dB,SMA-K
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耦合器

34-36GHz耦合器,30dB,2.92-K
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耦合器

34-36GHz耦合器,30dB,2.92-K