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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:3-8.5GHz,LO/RF隔离度:30dB,变频损耗:7dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:4.5-8GHz,LO/RF隔离度:25dB,变频损耗:11dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:20dB,变频损耗:10dB
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I/Q 混频器芯片

单片混频器,频率:RF:9-12GHz,LO/RF隔离度:15dB,变频损耗:9dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:4-11GHz,LO/RF隔离度:13dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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带本振驱动双平衡混频器芯片

单片混频多功能电路,频率:7-14GHz,LO/RF隔离度:12dB,变频损耗:10dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-10GHz,LO/RF隔离度:55dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:17dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8-12GHz,LO/RF隔离度:47dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:8.5-10GHz,LO/RF隔离度:dB,变频损耗:dB
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多功能下变频芯片

单片混频多功能电路,频率:9-10GHz,LO/RF隔离度:65dB,变频损耗:dB
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倍分频器芯片

频率:0-12GHz,有源,分频比:2,键合金丝
HGC594-3
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倍分频器芯片

频率:0-10GHz,有源,分频比:3,键合金丝
HGC595-1
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倍分频器芯片

频率:0-8GHz,有源,分频比:5,键合金丝
HGC595-3