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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:0-26GHz,损耗:2dB,隔离度:45dB,开关时间:10ns
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匹配式 SPST

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:48dB,
HGC113
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全正电,匹配式 SPST

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.6dB,隔离度:50dB,
HGC119
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单刀单掷开关

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:55dB,芯片尺寸:1.5*1.0*0.1
AMSW0004S