...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-18GHz,损耗:1.2dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-20GHz,损耗:2.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-18GHz,损耗:2dB,隔离度:60@10GHzdB,开关时间:10ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:1.4dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:22-27GHz,损耗:2dB,隔离度:38dB,开关时间:10ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:12-20GHz,损耗:0.8dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:6-18GHz,损耗:1dB,隔离度:35dB,开关时间:15ns
...

GaAs FET开关

频率:0-18GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:60dB,
ISW-0018DT
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.7dB,隔离度:50dB,
HGC114
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:1.9dB,隔离度:50dB,
HGC112
...

匹配式 SPDT

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:50dB,
HGC112PD
...

全正电,匹配式 SPDT

频率:0.1-20GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:60dB,
HGC127
...

全正电,反射式 SPDT

频率:0-26.5GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:35dB,
HGC1018
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:3dB,隔离度:35dB,
...

W SPDT

频率:0-18GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC129
...

单刀双掷

频率:0-20GHz,插入损耗:2dB,隔离度:45dB,
HGC114LP3