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GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:8-12GHz,损耗:0.9dB,隔离度:30dB,开关时间:15ns
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°电桥芯片

频率:3-6GHz,插入损耗(不含分配损耗):1dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:6-18GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:18dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.5dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.7dB,隔离度:20dB
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°电桥芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.9dB,隔离度:20dB
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°两路功分器芯片

频率:8-12GHz,插入损耗(不含分配损耗):0.6dB,隔离度:20dB
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隔离器

4-8GHz隔离器,SMA-K,隔离18,损耗0.6
YG400-1
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功分器

4-12GHz三路0°功分器,SMA-K
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隔离器

8-12GHz隔离器,SMA-K
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功分器

7.7-8.6GHz十六路0°功分器,SMA-K
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功分器

6-13GHz四路0°功分器,SMA-K
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功分器

6-13GHz五路0°功分器,SMA-K
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功分器

4-12GHz八路0°功分器,SMA-K