...

GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:1.5dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.6dB,隔离度:38dB,开关时间:80ns
...

GaAs FET 开关芯片(正压控制)

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.7dB,隔离度:40dB,开关时间:80ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:2-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:4.5-7.5GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0-6GHz,损耗:0.8dB,隔离度:35dB,开关时间:25ns
...

GaN FET 开关芯片

单刀双掷,频率:0.8-2GHz,损耗:0.4dB,隔离度:40dB,开关时间:20ns
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.45dB,隔离度:35dB,
HGC114-4
...

反射式 SPDT

频率:0-4GHz,插入损耗:0.5dB,隔离度:45dB,
HGC114-4D
...

全正电,匹配式 SPT

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.4dB,隔离度:40dB,
HGC1009LP4
...

单刀四掷

频率:0-6GHz,插入损耗:1.5dB,隔离度:40dB,
HGC1010LP4
...

单刀八掷

频率:0-4GHz,插入损耗:1.8dB,隔离度:40dB,
HGC1021LP4
...

单刀双掷

频率:0-6GHz,插入损耗:0.8dB,隔离度:40dB,
HGC1019LP4