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数控移相器芯片

频率:4.5-5GHz,损耗:5.5dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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电调衰减器芯片

频率:0-4GHz,损耗:1dB,射频端口:键合金丝,最大衰减:23
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-4GHz,损耗:0.5dB,隔离度:28dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:0-5GHz,损耗:2dB,隔离度:65dB,开关时间:50ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:1-4GHz,损耗:0.55dB,隔离度:30dB,开关时间:-ns
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°两路功分器芯片

频率:0.8-4GHz,插入损耗(不含分配损耗):1.1dB,隔离度:14dB
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滤波器芯片

低通频率:0-4GHz,损耗:1.8dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

低通频率:0-4.5GHz,损耗:1.8dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

低通频率:0-4.5GHz,损耗:2dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

低通频率:0-5GHz,损耗:1.8dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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滤波器芯片

高通频率:1.7-5GHz,损耗:1.5dB,抑制度:20dB,射频端口:键合金丝
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表面贴装/安装数控移相器/延时器

频率:3.8-4.2GHz,最大增益6dBm