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数控移相器芯片

频率:34-36GHz,损耗:8.6dB,射频端口:键合金丝,5位移相器
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数控移相器芯片

频率:34-36GHz,损耗:3.5dB,射频端口:键合金丝,4位及以下位移相器
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控移相器芯片

频率:42-46GHz,损耗:12dB,射频端口:键合金丝,6位移相器
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:1.6dB,射频端口:键合金丝,步进:20,最大衰减:20
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数控衰减器芯片

频率:30-40GHz,损耗:2.2dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:32-36GHz,损耗:1.8dB,射频端口:键合金丝,步进:30,最大衰减:30
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数控衰减器芯片

频率:34-36GHz,损耗:1.2dB,射频端口:键合金丝,步进:0.25,最大衰减:1
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数控衰减器芯片

频率:32-40GHz,损耗:4.3dB,射频端口:键合金丝,步进:0.5,最大衰减:31.5
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀单掷,频率:30-40GHz,损耗:1.8dB,隔离度:37dB,开关时间:10ns
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GaAs FET 开关芯片(负压控制)

单刀双掷,频率:40-50GHz,损耗:2dB,隔离度:40dB,开关时间:10ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:33-37GHz,损耗:0.6dB,隔离度:45dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀单掷,频率:90-96GHz,损耗:1.8dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:0.8dB,隔离度:24dB,开关时间:20ns
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GaAs PIN 开关芯片

单刀双掷,频率:33-37GHz,损耗:1.1dB,隔离度:25dB,开关时间:20ns